حافظه‌ی ۱۰ نانومتری جدید همچنین از یک ایر اسپیسر منحصربه‌فرد بهره می‌برد که در اطراف خطوط بیت قرار گرفته است تا به‌طور چشم‌گیری باعث کاهش پارازیت ظرفیت خازنی شود. پارازیت ظرفیت خازنی، یک ظرفیت خازنی ناخواسته است که بین قسمت‌های مدار الکتریکی یا بخش الکتریکی به دلیل مجاورت آن‌ها با یکدیگر به وجود می‌آید. زمانی که دو رسانای الکتریکی در ولتاژهای مختلف بیش از حد به یکدیگر نزدیک هستند، تحت تأثیر میدان الکتریکی یکدیگر قرار می‌گیرند و بار الکتریکی مخالف را مانند آن‌هایی که توسط خازن تولید شده است ذخیره می‌کنند. استفاده از ایر اسپیسر نه‌تنها باعث مقیاس‌گذاری در سطح بالا می‌‌شود بلکه سرعت عمل سلول را نیز افزایش می‌دهد.
با این پیشرفت‌ها به نظر می‌رسد سامسونگ در حال شتاب دادن برنامه‌های خود برای معرفی هر‌چه سریع‌تر سیستم‌ها و چیپ‌های نسل بعد شامل DDR5، HBM3، LPDDR5 و GDDR6 است که می‌توان از آن‌ها در سرورهای سازمانی، دستگاه‌های تلفن همراه، ابررایانه‌ها، سیستم‌های HPC و کارت‌های گرافیک سرعت بالا استفاده کرد.
سامسونگ قرارداد همکاری با شرکت‌های سازنده‌ی پردازشگر برای ساخت ماژول ۱۰ نانومتری DDR4 نسل دوم خود را نهایی کرده است و در مرحله‌ی بعد در نظر دارد با مشتریان بخش IT (فناوری اطلاعات) برای توسعه‌ی سیستم‌های محاسباتی کارآمدتر نسل بعد همکاری کند.
علاوه بر این، سامسونگ به‌عنوان رهبر تولید DRAM، نه‌تنها انتظار دارد به‌سرعت حجم تولید حافظه‌ی ۱۰ نانومتری نسل دوم را در خطوط تولید افزایش دهد؛ بلکه در نظر دارد این میزان تولید بیش از حافظه‌ی ۱۰ نانومتری نسل اول باشد که این موضوع سبب رشد تقاضای DRAM برای استفاده در سیستم‌های الکترونیکی پیشرفته در جهان است.
